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Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA

Numéro de pièce MFG
ZXMN3AM832TA
quantité disponible
21830 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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ZXMN3AM832TA Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN3AM832TA
Numéro de pièce future FT-ZXMN3AM832TA
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZXMN3AM832TA Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
Puissance - Max 1.13W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 8-MLP (3x2)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3AM832TA Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN3AM832TA-FT

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