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Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA

Name: ZXMN3AM832TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3AM832TA
Availability: InStock
Rating: 4.6 (593 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN3AM832TA

quantité disponible: 21830 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN3AM832TA.pdf

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ZXMN3AM832TA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN3AM832TA
Numéro de pièce future	FT-ZXMN3AM832TA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN3AM832TA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 25V
Puissance - Max	1.13W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur	8-MLP (3x2)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3AM832TA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN3AM832TA-FT

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