maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSL806NH6327XTSA1
Référence fabricant | BSL806NH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSL806NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSL806NH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSOP-6-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL806NH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSL806NH6327XTSA1-FT |
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