maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDS9945
Référence fabricant | FDS9945 |
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Numéro de pièce future | FT-FDS9945 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDS9945 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 30V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS9945 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS9945-FT |
FDC6561AN
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FDC6306P
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FDC6420C
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NDC7001C
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A42MX36-PQ208I
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LFE5UM-85F-7BG756C
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5CGTFD5F5M11C7N
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XC7K420T-1FFG901I
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XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-3M100C
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