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ON Semiconductor FDC6561AN

Numéro de pièce MFG
FDC6561AN
quantité disponible
42350 Pièces
Prix de référence
USD 0.16736
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDC6561AN.pdf
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FDC6561AN Caractéristiques

Référence fabricant FDC6561AN
Numéro de pièce future FT-FDC6561AN
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDC6561AN Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Puissance - Max 700mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC6561AN Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDC6561AN-FT

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