maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDC6306P
Référence fabricant | FDC6306P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDC6306P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDC6306P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 441pF @ 10V |
Puissance - Max | 700mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | SuperSOT™-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC6306P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDC6306P-FT |
IRF7379TRPBF
Infineon Technologies
IRF7380PBF
Infineon Technologies
IRF7380QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7389
Infineon Technologies
IRF7389PBF
Infineon Technologies
IRF7389TR
Infineon Technologies
IRF7901D1
Infineon Technologies
IRF7901D1TR
Infineon Technologies
IRF7901D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7902PBF
Infineon Technologies
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA5K2F35I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FFG900C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FFG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5CGXBC9C6F23C7N
Intel