maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDS8949-F085
Référence fabricant | FDS8949-F085 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDS8949-F085 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDS8949-F085 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS8949-F085 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS8949-F085-FT |
FDC6305N
ON Semiconductor
FDC6561AN
ON Semiconductor
FDC6306P
ON Semiconductor
FDC6420C
ON Semiconductor
NDC7001C
ON Semiconductor
NDC7002N
ON Semiconductor
NDC7003P
ON Semiconductor
FDC6310P
ON Semiconductor
FDC6401N
ON Semiconductor
FDC6321C
ON Semiconductor
A54SX72A-PQG208M
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2N
Intel
5SGXMB9R2H43C2N
Intel
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel
EP2AGX125EF29C4
Intel
EP3C40F780C7
Intel