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Référence fabricant | FDPF12N50T |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF12N50T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET™ |
FDPF12N50T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1315pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF12N50T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF12N50T-FT |
GP1M007A090H
Global Power Technologies Group
GP1M008A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050HG
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GP1M008A080H
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GP1M009A090H
Global Power Technologies Group
GP1M010A060H
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GP1M010A080H
Global Power Technologies Group
XCV50-6TQ144C
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LCMXO2-256HC-4SG32C
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LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
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5SGXMA5K1F40C2LN
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Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
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