maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP1M008A050HG
Référence fabricant | GP1M008A050HG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GP1M008A050HG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP1M008A050HG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 937pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M008A050HG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP1M008A050HG-FT |
IRFU7740PBF
Infineon Technologies
IRFU7746PBF
Infineon Technologies
IRFU9014N
Infineon Technologies
IRFU9024N
Infineon Technologies
IRFU9120N
Infineon Technologies
IRFU9120NPBF
Infineon Technologies
IRFU9N20D
Infineon Technologies
IRLU2703PBF
Infineon Technologies
IRLU3705ZPBF
Infineon Technologies
IRLU3915PBF
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel