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Global Power Technologies Group GP1M010A080H

Numéro de pièce MFG
GP1M010A080H
quantité disponible
99980 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
- MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
GP1M010A080H.pdf
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GP1M010A080H Caractéristiques

Référence fabricant GP1M010A080H
Numéro de pièce future FT-GP1M010A080H
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
GP1M010A080H Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M010A080H Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange GP1M010A080H-FT

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