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Référence fabricant | FDMS3669S |
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Numéro de pièce future | FT-FDMS3669S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMS3669S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A, 18A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1605pF @ 15V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | Power56 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3669S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS3669S-FT |
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation
APTM10AM02FG
Microsemi Corporation
APTM100H18FG
Microsemi Corporation
APTM100AM90FG
Microsemi Corporation
APTM100A18FTG
Microsemi Corporation
APTM100A13SG
Microsemi Corporation
APTM100A13SCG
Microsemi Corporation
APTJC120AM25VCT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM16CD3AG
Microsemi Corporation
APTMC120TAM33CTPAG
Microsemi Corporation
XCS20XL-4PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3
Intel
EP4CE15F23C6
Intel
XC5VFX70T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
10AX115N3F45E2SG
Intel
EP3SE50F780C4N
Intel