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Microsemi Corporation APTMC120AM16CD3AG

Name: APTMC120AM16CD3AG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTMC120AM16CD3AG
Availability: InStock
Rating: 5.0 (70 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTMC120AM16CD3AG

quantité disponible: 39110 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTMC120AM16CD3AG.pdf

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APTMC120AM16CD3AG Caractéristiques

Référence fabricant	APTMC120AM16CD3AG
Numéro de pièce future	FT-APTMC120AM16CD3AG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTMC120AM16CD3AG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 5mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	246nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4750pF @ 1000V
Puissance - Max	625W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	D-3 Module
Package d'appareils du fournisseur	D3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120AM16CD3AG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTMC120AM16CD3AG-FT

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