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APTM100A13SCG Image

Microsemi Corporation APTM100A13SCG

Numéro de pièce MFG
APTM100A13SCG
quantité disponible
83600 Pièces
Prix de référence
USD 202.856
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM100A13SCG.pdf
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APTM100A13SCG Caractéristiques

Référence fabricant APTM100A13SCG
Numéro de pièce future FT-APTM100A13SCG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM100A13SCG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Puissance - Max 1250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP6
Package d'appareils du fournisseur SP6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100A13SCG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM100A13SCG-FT

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