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Référence fabricant | FDMS3620S |
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Numéro de pièce future | FT-FDMS3620S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMS3620S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 13V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | Power56 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3620S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS3620S-FT |
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation
APTM10AM02FG
Microsemi Corporation
APTM100H18FG
Microsemi Corporation
APTM100AM90FG
Microsemi Corporation
APTM100A18FTG
Microsemi Corporation
APTM100A13SG
Microsemi Corporation
APTM100A13SCG
Microsemi Corporation
APTJC120AM25VCT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM16CD3AG
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel