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ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD

Numéro de pièce MFG
FDMS1D2N03DSD
quantité disponible
71590 Pièces
Prix de référence
USD 1.0098
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® PT11N 30/12 PT11N 30/12
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDMS1D2N03DSD.pdf
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FDMS1D2N03DSD Caractéristiques

Référence fabricant FDMS1D2N03DSD
Numéro de pièce future FT-FDMS1D2N03DSD
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDMS1D2N03DSD Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Puissance - Max 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS1D2N03DSD Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDMS1D2N03DSD-FT

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