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Microsemi Corporation APTMC60TLM14CAG

Numéro de pièce MFG
APTMC60TLM14CAG
quantité disponible
11820 Pièces
Prix de référence
USD 1348.28336
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTMC60TLM14CAG.pdf
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APTMC60TLM14CAG Caractéristiques

Référence fabricant APTMC60TLM14CAG
Numéro de pièce future FT-APTMC60TLM14CAG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTMC60TLM14CAG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 150A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V
Puissance - Max 925W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP6
Package d'appareils du fournisseur SP6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC60TLM14CAG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTMC60TLM14CAG-FT

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