maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDMD8630
Référence fabricant | FDMD8630 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMD8630 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMD8630 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 38A (Ta), 167A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9930pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.3W (Ta), 43W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-Power 5x6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8630 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMD8630-FT |
IRFI4019HG-117P
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