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Infineon Technologies IRFH7911TRPBF

Name: IRFH7911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH7911TRPBF
Price: 1.000888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (248 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFH7911TRPBF

quantité disponible: 89230 Pièces

Prix de référence: USD 1.000888

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFH7911TRPBF.pdf

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IRFH7911TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFH7911TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFH7911TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFH7911TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V
Puissance - Max	2.4W, 3.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	18-PowerVQFN
Package d'appareils du fournisseur	PQFN (5x6)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7911TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFH7911TRPBF-FT

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