maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMGD175XNEX

| Référence fabricant | PMGD175XNEX |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-PMGD175XNEX |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| PMGD175XNEX Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 870mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 252 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.65nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 15V |
| Puissance - Max | 260mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMGD175XNEX Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | PMGD175XNEX-FT |

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