maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMGD175XNEX
Référence fabricant | PMGD175XNEX |
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Numéro de pièce future | FT-PMGD175XNEX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMGD175XNEX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 870mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 252 mOhm @ 900mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.65nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 15V |
Puissance - Max | 260mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMGD175XNEX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMGD175XNEX-FT |
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