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TSM6502CR RLG Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG

Numéro de pièce MFG
TSM6502CR RLG
quantité disponible
21660 Pièces
Prix de référence
USD 0.2146
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TSM6502CR RLG.pdf
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TSM6502CR RLG Caractéristiques

Référence fabricant TSM6502CR RLG
Numéro de pièce future FT-TSM6502CR RLG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM6502CR RLG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Puissance - Max 40W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-PDFN (5x6)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM6502CR RLG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM6502CR RLG-FT

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