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Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF

Numéro de pièce MFG
IRFH4251DTRPBF
quantité disponible
51470 Pièces
Prix de référence
USD 1.211368
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
FASTIRFET™ MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFH4251DTRPBF.pdf
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IRFH4251DTRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFH4251DTRPBF
Numéro de pièce future FT-IRFH4251DTRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FASTIRFET™
IRFH4251DTRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 64A, 188A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V
Puissance - Max 31W, 63W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur PQFN (5x6)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH4251DTRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFH4251DTRPBF-FT

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