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ON Semiconductor FDMD86100

Numéro de pièce MFG
FDMD86100
quantité disponible
55960 Pièces
Prix de référence
USD 1.232784
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 100V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDMD86100.pdf
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FDMD86100 Caractéristiques

Référence fabricant FDMD86100
Numéro de pièce future FT-FDMD86100
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDMD86100 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 50V
Puissance - Max 2.2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-Power 5x6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMD86100 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDMD86100-FT

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