maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMA291P
Référence fabricant | FDMA291P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDMA291P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMA291P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 6.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-MicroFET (2x2) |
Paquet / caisse | 6-VDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMA291P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMA291P-FT |
FDC653N
ON Semiconductor
FDC658AP
ON Semiconductor
FDC3512
ON Semiconductor
FDC637BNZ
ON Semiconductor
FDC021N30
ON Semiconductor
FDC610PZ
ON Semiconductor
FDC6392S
ON Semiconductor
FDC855N
ON Semiconductor
FDC8884
ON Semiconductor
SI3443DV
ON Semiconductor
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel