maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDC658AP
Référence fabricant | FDC658AP |
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Numéro de pièce future | FT-FDC658AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDC658AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SuperSOT™-6 |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC658AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDC658AP-FT |
HUFA75321P3
ON Semiconductor
HUFA75329P3
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HUFA75333P3
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HUFA75345P3
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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LFXP2-5E-7M132C
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