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FDC658AP Image

ON Semiconductor FDC658AP

Numéro de pièce MFG
FDC658AP
quantité disponible
30580 Pièces
Prix de référence
USD 0.149088
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDC658AP.pdf
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FDC658AP Caractéristiques

Référence fabricant FDC658AP
Numéro de pièce future FT-FDC658AP
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDC658AP Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC658AP Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDC658AP-FT

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