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FDC855N Image

ON Semiconductor FDC855N

Numéro de pièce MFG
FDC855N
quantité disponible
69230 Pièces
Prix de référence
USD 0.188504
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDC855N.pdf
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FDC855N Caractéristiques

Référence fabricant FDC855N
Numéro de pièce future FT-FDC855N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDC855N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 655pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC855N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDC855N-FT

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