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ON Semiconductor FDG6332C-F085P

Numéro de pièce MFG
FDG6332C-F085P
quantité disponible
20180 Pièces
Prix de référence
USD 0.130944
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
Automotive, AEC-Q101 DUAL NP MOS SC70-6 20V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDG6332C-F085P.pdf
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FDG6332C-F085P Caractéristiques

Référence fabricant FDG6332C-F085P
Numéro de pièce future FT-FDG6332C-F085P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
FDG6332C-F085P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Puissance - Max 300mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG6332C-F085P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDG6332C-F085P-FT

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