maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDG6332C-F085P
Référence fabricant | FDG6332C-F085P |
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Numéro de pièce future | FT-FDG6332C-F085P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
FDG6332C-F085P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 700mA (Ta), 600mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 113pF @ 10V, 114pF @ 10V |
Puissance - Max | 300mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6332C-F085P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG6332C-F085P-FT |
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
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APTM100DUM90G
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APTM100H80FT1G
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APTM100TA35SCTPG
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APTM100VDA35T3G
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APTM10DDAM09T3G
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APTM10DDAM19T3G
Microsemi Corporation
APTM10DHM09T3G
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A54SX72A-PQG208M
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AGLN250V5-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2N
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5SGXMB9R2H43C2N
Intel
AX500-FGG676
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LFE2-12E-5F484C
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LCMXO2-2000HC-6BG256C
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10AX057H4F34E3LG
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