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Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G

Name: APTM10DHM09T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM10DHM09T3G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (418 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTM10DHM09T3G

quantité disponible: 44110 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS V® MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTM10DHM09T3G.pdf

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APTM10DHM09T3G Caractéristiques

Référence fabricant	APTM10DHM09T3G
Numéro de pièce future	FT-APTM10DHM09T3G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS V®
APTM10DHM09T3G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	350nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9875pF @ 25V
Puissance - Max	390W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	SP3
Package d'appareils du fournisseur	SP3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10DHM09T3G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTM10DHM09T3G-FT

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