maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDG361N
Référence fabricant | FDG361N |
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Numéro de pièce future | FT-FDG361N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDG361N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 600mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 420mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SC-70-6) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG361N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG361N-FT |
TK8A60W,S4VX
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TK8A65W,S5X
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TK9A65W,S5X
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ZDX130N50
Rohm Semiconductor
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DMN95H8D5HCT
Diodes Incorporated
PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-40PS,127
Nexperia USA Inc.
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel