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Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT

Name: DMN90H8D5HCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN90H8D5HCT
Price: 1.104 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (128 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN90H8D5HCT

quantité disponible: 45900 Pièces

Prix de référence: USD 1.104

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN90H8D5HCT.pdf

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DMN90H8D5HCT Caractéristiques

Référence fabricant	DMN90H8D5HCT
Numéro de pièce future	FT-DMN90H8D5HCT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN90H8D5HCT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN90H8D5HCT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN90H8D5HCT-FT

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