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Diodes Incorporated DMT6009LCT

Numéro de pièce MFG
DMT6009LCT
quantité disponible
96160 Pièces
Prix de référence
USD 0.808
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMT6009LCT.pdf
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DMT6009LCT Caractéristiques

Référence fabricant DMT6009LCT
Numéro de pièce future FT-DMT6009LCT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMT6009LCT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 37.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6009LCT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMT6009LCT-FT

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