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ON Semiconductor FDD3510H

Name: FDD3510H
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD3510H
Price: 0.414736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (632 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD3510H

quantité disponible: 55480 Pièces

Prix de référence: USD 0.414736

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD3510H.pdf

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FDD3510H Caractéristiques

Référence fabricant	FDD3510H
Numéro de pièce future	FT-FDD3510H
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD3510H Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N and P-Channel, Common Drain
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 40V
Puissance - Max	1.3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Package d'appareils du fournisseur	TO-252-4L
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD3510H Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD3510H-FT

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