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ON Semiconductor FDD1600N10ALZD

Name: FDD1600N10ALZD
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD1600N10ALZD
Price: 0.310464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (771 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD1600N10ALZD

quantité disponible: 54980 Pièces

Prix de référence: USD 0.310464

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD1600N10ALZD.pdf

FDD1600N10ALZD Caractéristiques

Référence fabricant	FDD1600N10ALZD
Numéro de pièce future	FT-FDD1600N10ALZD
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD1600N10ALZD Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Last Time Buy
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.61nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	14.9W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252-4L
Paquet / caisse	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD1600N10ALZD Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD1600N10ALZD-FT

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