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Référence fabricant | FDD1600N10ALZD |
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Numéro de pièce future | FT-FDD1600N10ALZD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDD1600N10ALZD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 14.9W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-4L |
Paquet / caisse | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD1600N10ALZD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDD1600N10ALZD-FT |
FQI32N20CTU
ON Semiconductor
FQI34P10TU
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FQI3N25TU
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XC3S250E-4VQ100I
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