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FCP850N80Z Image

ON Semiconductor FCP850N80Z

Numéro de pièce MFG
FCP850N80Z
quantité disponible
95510 Pièces
Prix de référence
USD 1.047392
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 8A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCP850N80Z.pdf
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FCP850N80Z Caractéristiques

Référence fabricant FCP850N80Z
Numéro de pièce future FT-FCP850N80Z
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET® II
FCP850N80Z Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1315pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP850N80Z Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCP850N80Z-FT

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