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ON Semiconductor FCP150N65F

Name: FCP150N65F
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP150N65F
Price: 3.168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (769 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCP150N65F

quantité disponible: 34670 Pièces

Prix de référence: USD 3.168

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: HiPerFET™, Polar™ MOSFET N-CH 650V 24A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCP150N65F.pdf

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FCP150N65F Caractéristiques

Référence fabricant	FCP150N65F
Numéro de pièce future	FT-FCP150N65F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™, Polar™
FCP150N65F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3737pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	298W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP150N65F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCP150N65F-FT

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