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ON Semiconductor FCP165N60E

Numéro de pièce MFG
FCP165N60E
quantité disponible
89260 Pièces
Prix de référence
USD 3.536
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET® II MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCP165N60E.pdf
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FCP165N60E Caractéristiques

Référence fabricant FCP165N60E
Numéro de pièce future FT-FCP165N60E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET® II
FCP165N60E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2434pF @ 380V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 227W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP165N60E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCP165N60E-FT

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