Référence fabricant | ES2D/1 |
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Numéro de pièce future | FT-ES2D/1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES2D/1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2D/1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2D/1-FT |
MURS160-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20BQ030-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL22-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS2D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS120-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel