maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-20BQ030-M3/5BT
Référence fabricant | VS-20BQ030-M3/5BT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-20BQ030-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20BQ030-M3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 470mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | 200pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20BQ030-M3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20BQ030-M3/5BT-FT |
SS1H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel