maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS23SHE3_A/I
Référence fabricant | SS23SHE3_A/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SS23SHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS23SHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS23SHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS23SHE3_A/I-FT |
ESH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRA140TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B/11
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel