maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S2JHE3_A/H
Référence fabricant | S2JHE3_A/H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S2JHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S2JHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2JHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S2JHE3_A/H-FT |
SS19-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel