maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1CHE3_A/H
Référence fabricant | ES1CHE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-ES1CHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1CHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1CHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1CHE3_A/H-FT |
BYG20G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel