maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG20J-M3/TR
Référence fabricant | BYG20J-M3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG20J-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG20J-M3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20J-M3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG20J-M3/TR-FT |
S1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel