maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG20J-E3/TR3
Référence fabricant | BYG20J-E3/TR3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYG20J-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG20J-E3/TR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20J-E3/TR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG20J-E3/TR3-FT |
ES1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel