maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1B-M3/61T
Référence fabricant | ES1B-M3/61T |
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Numéro de pièce future | FT-ES1B-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1B-M3/61T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1B-M3/61T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1B-M3/61T-FT |
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
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XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
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EP3SE110F780I3N
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HC20K600BC652
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