maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / EPC8002
Référence fabricant | EPC8002 |
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Numéro de pièce future | FT-EPC8002 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eGaN® |
EPC8002 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 65V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 32.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Paquet / caisse | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC8002 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EPC8002-FT |
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