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EPC EPC2110ENGRT

Name: EPC2110ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2110ENGRT
Price: 0.8176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (592 reviews)

Numéro de pièce MFG: EPC2110ENGRT

quantité disponible: 63270 Pièces

Prix de référence: USD 0.8176

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: EPC

Brève description: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: EPC2110ENGRT.pdf

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EPC2110ENGRT Caractéristiques

Référence fabricant	EPC2110ENGRT
Numéro de pièce future	FT-EPC2110ENGRT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	eGaN®
EPC2110ENGRT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	Die
Package d'appareils du fournisseur	Die
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2110ENGRT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	EPC2110ENGRT-FT

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