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Infineon Technologies IPG15N06S3L-45

Name: IPG15N06S3L-45
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG15N06S3L-45
Availability: InStock
Rating: 4.6 (261 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPG15N06S3L-45

quantité disponible: 19530 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPG15N06S3L-45.pdf

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IPG15N06S3L-45 Caractéristiques

Référence fabricant	IPG15N06S3L-45
Numéro de pièce future	FT-IPG15N06S3L-45
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPG15N06S3L-45 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1420pF @ 25V
Puissance - Max	21W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-4
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG15N06S3L-45 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPG15N06S3L-45-FT

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