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Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1
- Numéro de pièce MFG
- IPG20N06S4L26ATMA1
- quantité disponible
- 44540 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.323848
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IPG20N06S4L26ATMA1.pdf
IPG20N06S4L26ATMA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | IPG20N06S4L26ATMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IPG20N06S4L26ATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | OptiMOS™ |
| IPG20N06S4L26ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
| Puissance - Max | 33W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-4 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPG20N06S4L26ATMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IPG20N06S4L26ATMA1-FT |
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