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EPC2108 Image

EPC EPC2108

Numéro de pièce MFG
EPC2108
quantité disponible
65000 Pièces
Prix de référence
USD 0.6608
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
EPC
Brève description
eGaN® GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EPC2108.pdf
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EPC2108 Caractéristiques

Référence fabricant EPC2108
Numéro de pièce future FT-EPC2108
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries eGaN®
EPC2108 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caractéristique FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 60V, 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 9-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur 9-BGA (1.35x1.35)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2108 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EPC2108-FT

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