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EPC EPC2045ENGRT

Numéro de pièce MFG
EPC2045ENGRT
quantité disponible
49120 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
EPC
Brève description
eGaN® GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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EPC2045ENGRT Caractéristiques

Référence fabricant EPC2045ENGRT
Numéro de pièce future FT-EPC2045ENGRT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries eGaN®
EPC2045ENGRT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 685pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Die
Paquet / caisse Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2045ENGRT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EPC2045ENGRT-FT

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