maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMC4435BZ-F126
Référence fabricant | FDMC4435BZ-F126 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMC4435BZ-F126 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMC4435BZ-F126 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.5A (Ta), 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2045pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 31W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC4435BZ-F126 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMC4435BZ-F126-FT |
FQI17N08LTU
ON Semiconductor
FQI17N08TU
ON Semiconductor
FQI17P06TU
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FQI27N25TU-F085
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FQI2N30TU
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
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10AX048K2F35E2LG
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XC7A25T-2CPG238C
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LFEC15E-4F484C
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