maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMB668P
Référence fabricant | FDMB668P |
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Numéro de pièce future | FT-FDMB668P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMB668P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMB668P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMB668P-FT |
FQI27N25TU
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FQI27N25TU-F085
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FQI27P06TU
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